采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:配置氢氧化铵腐蚀液;步骤2:在衬底上制作一层光刻胶;步骤3:光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案;步骤4:将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干;步骤5:将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:配置氢氧化铵腐蚀液;步骤2:在衬底上制作一层光刻胶;步骤3:光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案;步骤4:将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干;步骤5:将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3584.pdf: 309786 bytes, checksum: e06187db63422e0df76d5d72d7f2291b (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
鞠研玲;杨晓红;韩 勤 ,采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法,CN200810116041.1 ,2008-07-02 |
| Tipo |
专利 |
