GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上;一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上;一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面;一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上;一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上;一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上;一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面;一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上;一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3582.pdf: 747016 bytes, checksum: d4333f6c398a78c4c8c259bcdadeb430 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
颜廷静;苏艳梅;王国东;种 明 ,GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法,CN200810116040.7 ,2008-07-02 |
| Tipo |
专利 |
