低介电常数BCB树脂的固化方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种低介电常数BCB树脂的固化方法，具体步骤如下:步骤1:在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;步骤2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护;步骤3:加热固化炉，使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均匀;步骤4:再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂充分挥发;步骤5:再将加热固化炉升高至一第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜;步骤6:将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。 一种低介电常数BCB树脂的固化方法，具体步骤如下:步骤1:在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;步骤2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护;步骤3:加热固化炉，使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均匀;步骤4:再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂充分挥发;步骤5:再将加热固化炉升高至一第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜;步骤6:将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3577.pdf: 382538 bytes, checksum: 1a892f35b555035f5c2ef98459a5a25b (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
程远兵;周 帆;潘教青;陈娓兮;王 圩 ,低介电常数BCB树脂的固化方法,CN200810116413.0 ,2008-07-09 |
| Tipo |
专利 |
