集成肋片式红外半导体激光器结构
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面;该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面;该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3570.pdf: 366188 bytes, checksum: 63287c3c60ccb9247a263d889694c7d1 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘俊岐;刘峰奇;李 路;王利军;王占国 ,集成肋片式红外半导体激光器结构,CN200810116832.4 ,2008-07-18 |
| Tipo |
专利 |
