倒锥波导耦合器的制作方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤:步骤1:在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件;步骤2:利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料;步骤3:在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜;步骤4:对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶;步骤5:在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入;步骤6:腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器;步骤7:后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。 一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤:步骤1:在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件;步骤2:利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料;步骤3:在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜;步骤4:对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶;步骤5:在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入;步骤6:腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器;步骤7:后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3569.pdf: 409519 bytes, checksum: 28611dc2ce92935c86f2db6f4c8cf98f (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
尹小杰;王 玥;吴远大;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 ,倒锥波导耦合器的制作方法,CN200810117073.3 ,2008-07-23 |
| Tipo |
专利 |
