叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法


Autoria(s): 王大拯; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
Contribuinte(s)

汤保平:中科专利商标代理有限责任公司

中国科学院半导体研究所

Data(s)

12/08/2010

Resumo

本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法,其特征在于,包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉,在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法,沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向,在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。

本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法,其特征在于,包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉,在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法,沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向,在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13398

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/61794

Idioma(s)

中文

Fonte

王大拯;冯小明;王勇刚;刘素平;马骁宇 ,叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法,CN200810117495.0 ,2008-07-31

Tipo

专利