硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器
| Contribuinte(s) |
周国城:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
12/08/2010
|
| Resumo |
本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，该电光调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里-珀罗谐振腔(4)串联而成，该两个法布里-珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形成级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。所述法布里-珀罗谐振腔(4)由两个布拉格光栅(3)与位于该两个布拉格光栅之间的脊形波导(1)构成，布拉格光栅(3)作为该法布里-珀罗谐振腔(4)的反射镜。本发明大幅提高了谐振腔的F值、FSR、Q值等参数，使得电光调制器的消光比大大增加，调制所需功耗更小，速度更快，而且器件结构紧凑，制作工艺与成熟的微电子CMOS工艺兼容。 本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，该电光调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里-珀罗谐振腔(4)串联而成，该两个法布里-珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形成级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。所述法布里-珀罗谐振腔(4)由两个布拉格光栅(3)与位于该两个布拉格光栅之间的脊形波导(1)构成，布拉格光栅(3)作为该法布里-珀罗谐振腔(4)的反射镜。本发明大幅提高了谐振腔的F值、FSR、Q值等参数，使得电光调制器的消光比大大增加，调制所需功耗更小，速度更快，而且器件结构紧凑，制作工艺与成熟的微电子CMOS工艺兼容。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3563.pdf: 614621 bytes, checksum: e4c0b8e72faa7488405b6fe0a50381c5 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙 阳;陈少武;徐学俊 ,硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器,CN200810117494.6 ,2008-07-31 |
| Tipo |
专利 |
