制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法
| Contribuinte(s) |
周国城:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括:在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系;在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区，在环形波导表层构造横向p-i-n结构，并控制本征区i的宽度;向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子，并退火，形成深能级缺陷;在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明，使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测，并利用热效应来调节转换波长。 本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括:在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系;在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区，在环形波导表层构造横向p-i-n结构，并控制本征区i的宽度;向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子，并退火，形成深能级缺陷;在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明，使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测，并利用热效应来调节转换波长。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3554.pdf: 1089127 bytes, checksum: 3fb31d7cfa60b7c1aa8feda9ee433182 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩培德 ,制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法,CN200810118966.X ,2008-08-27 |
| Tipo |
专利 |
