一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法

本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)，P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N型DBR(7)，SiO2掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。

本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)，P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N型DBR(7)，SiO2掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。

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