降低立方氮化硼薄膜应力的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3548.pdf: 400618 bytes, checksum: dd8d08a83553f09d107839de5c259f4f (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
范亚明;张兴旺;谭海仁;陈诺夫 ,降低立方氮化硼薄膜应力的方法,CN200810119797.1 ,2008-09-10 |
| Tipo |
专利 |
