在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1:在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影;步骤2:将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击;步骤3:将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟;步骤4:用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤5:再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤6:将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属;步骤7:将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干;步骤8:将淀积完金属的基片退火，完成制作。 一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1:在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影;步骤2:将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击;步骤3:将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟;步骤4:用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤5:再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干;步骤6:将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属;步骤7:将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干;步骤8:将淀积完金属的基片退火，完成制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3547.pdf: 323827 bytes, checksum: 93c6810f12c44ac8679f7b85509aea17 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
谈笑天;郑厚植;刘 剑;杨富华 ,在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法,CN200810119798.6 ,2008-09-10 |
| Tipo |
专利 |
