低温晶片键合的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
12/08/2010
|
| Resumo |
一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3542.pdf: 551711 bytes, checksum: f025df17ccf691368a7c1c112b73f1ee (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭红玲;陈良惠;郑婉华;石 岩;渠红伟;杨国华;何国荣 ,低温晶片键合的方法,CN200810222336.7 ,2008-09-17 |
| Tipo |
专利 |
