在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法
| Contribuinte(s) |
汤宝平 中科院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
24/06/2009
|
| Resumo |
于AD批量导入至AEzhangdi 于AD批量导入至AEzhangdi |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高福宝;陈诺夫;吴金良;刘 磊 ,在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法,CN200710179886,39435 |
| Tipo |
专利 |
