InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法
| Contribuinte(s) |
汤宝平 中科院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
26/08/2009
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| Resumo |
于AD批量导入至AEzhangdi 于AD批量导入至AEzhangdi |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
戴扬,InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法,CN200810057889,39498 |
| Tipo |
专利 |
