一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法
| Contribuinte(s) |
汤宝平 中科院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
02/09/2009
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| Resumo |
于AD批量导入至AEzhangdi 于AD批量导入至AEzhangdi |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏同波,一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法,CN200810100953.X ,39505 |
| Tipo |
专利 |
