InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法
| Contribuinte(s) |
汤宝平 中科院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
07/10/2009
|
| Resumo |
于AD批量导入至AEzhangdi 于AD批量导入至AEzhangdi |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴孟,InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法,CN200810103224,39540 |
| Tipo |
专利 |
