GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
| Contribuinte(s) |
汤宝平 中科院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
11/11/2009
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| Resumo |
于AD批量导入至AEzhangdi 于AD批量导入至AEzhangdi |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川,GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法,CN200810106276,39577 |
| Tipo |
专利 |
