GaAs 基1.55 微米异变InGaAs高性能探测器的研究


Autoria(s): 朱彬
Contribuinte(s)

韩勤

Data(s)

2010

Resumo

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11299

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60708

Idioma(s)

中文

Fonte

朱彬.GaAs 基1.55 微米异变InGaAs高性能探测器的研究[博士].北京.中国科学院研究生院.2010

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

学位论文