InAs/GaAs超薄低维结构中空穴和电子自旋弛豫特性研究

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Autoria(s): 李涛

Contribuinte(s)	张新惠
Data(s)	2010
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11215 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60697
Idioma(s)	中文
Fonte	李涛.InAs/GaAs超薄低维结构中空穴和电子自旋弛豫特性研究[硕士].北京.中国科学院研究生院.2010
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	学位论文