InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究


Autoria(s): 周志强
Contribuinte(s)

牛智川

Data(s)

2009

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).

Made available in DSpace on 2009-09-10T06:08:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2009/zzq.pdf: 3347907 bytes, checksum: da32f1e2e6564116164149aa155a9c2f (MD5) Previous issue date: 2009

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/6248

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60684

Idioma(s)

中文

Fonte

周志强.InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2009

Palavras-Chave #微电子学与固体电子学
Tipo

学位论文