基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计

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Autoria(s): 戴扬

Contribuinte(s)	杨富华
Data(s)	2009
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/6076 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60598
Idioma(s)	中文
Fonte	戴扬.基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2009
Palavras-Chave	#微电子学与固体电子学
Tipo	学位论文