大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究
| Contribuinte(s) |
惠峰 赵有文 |
|---|---|
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT). Made available in DSpace on 2009-07-09T01:37:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2008/zhr.pdf: 1343095 bytes, checksum: bb16bd402234bd1fe764b5007f535ec3 (MD5) Previous issue date: 2008 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
占荣.大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.2008 |
| Palavras-Chave | #材料物理与化学 |
| Tipo |
学位论文 |
