Si(111)衬底上GaN 外延的MOCVD 生长及其应力研究
| Contribuinte(s) |
杨辉 朱建军 |
|---|---|
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
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| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘卫.Si(111)衬底上GaN 外延的MOCVD 生长及其应力研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2008 |
| Palavras-Chave | #微电子学与固体电子学 |
| Tipo |
学位论文 |
