GaN 基HEMT 材料的MOCVD 生长及器件应用研究


Autoria(s): 马志勇
Contribuinte(s)

王晓亮

Data(s)

2007

Resumo

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5805

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60464

Idioma(s)

中文

Fonte

马志勇.GaN 基HEMT 材料的MOCVD 生长及器件应用研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2007

Palavras-Chave #微电子学与固体电子学
Tipo

学位论文