Si 基GaN 材料生长和LEDs 结构研制以及HVPE 生长厚膜GaN 的初步研究


Autoria(s): 刘喆
Contribuinte(s)

李晋闽

Data(s)

2006

Resumo

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5643

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60383

Idioma(s)

中文

Fonte

刘喆.Si 基GaN 材料生长和LEDs 结构研制以及HVPE 生长厚膜GaN 的初步研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2006

Palavras-Chave #材料物理与化学
Tipo

学位论文