注氧隔离SOI材料及部分耗尽SOI MOSFETs的电离辐射加固


Autoria(s): 郑中山
Contribuinte(s)

刘忠立

Data(s)

2005

Resumo

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5507

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60315

Idioma(s)

中文

Fonte

郑中山.注氧隔离SOI材料及部分耗尽SOI MOSFETs的电离辐射加固.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2005

Palavras-Chave #微电子学与固体电子学
Tipo

学位论文