GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究


Autoria(s): 王晓峰
Contribuinte(s)

曾一平

黄风义

Data(s)

2005

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).

Made available in DSpace on 2009-07-09T01:36:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2005/wxf.pdf: 3660695 bytes, checksum: 4ab8a0d601cfd2e7fc28c629f6b765cc (MD5) Previous issue date: 2005

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5453

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60288

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓峰.GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2005

Palavras-Chave #材料物理与化学
Tipo

学位论文