1.3 µm GaAs 基InAs 量子点材料生长及器件应用


Autoria(s): 何军
Contribuinte(s)

王占国

Data(s)

2003

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).

Made available in DSpace on 2009-07-09T01:35:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2003/hj.pdf: 1075009 bytes, checksum: 8dd64364fd5ca52ea5188d025c2685db (MD5) Previous issue date: 2003

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5227

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60175

Idioma(s)

中文

Fonte

何军.1.3 µm GaAs 基InAs 量子点材料生长及器件应用.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2003

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

学位论文