非掺杂磷化铟(InP)的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比


Autoria(s): 董宏伟
Contribuinte(s)

林兰英

李晋闽

Data(s)

2003

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).

Made available in DSpace on 2009-07-09T01:35:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2003/dhw.pdf: 3139036 bytes, checksum: 002879d1edb0aa4d81ac96a7a87afd2a (MD5) Previous issue date: 2003

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5157

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60140

Idioma(s)

中文

Fonte

董宏伟.非掺杂磷化铟(InP)的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2003

Palavras-Chave #料物理与化学
Tipo

学位论文