立方相GaN的晶片键合技术以及金属接触性质的研究


Autoria(s): 孙元平
Contribuinte(s)

杨辉

Data(s)

2002

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).

Made available in DSpace on 2009-07-09T01:35:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2002/syp.pdf: 2741391 bytes, checksum: 12672489fbdc79de3e560f6916f5000e (MD5) Previous issue date: 2002

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5129

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60126

Idioma(s)

中文

Fonte

孙元平.立方相GaN的晶片键合技术以及金属接触性质的研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.2002

Palavras-Chave #微电子学与固体电子学
Tipo

学位论文