GaAs基低维材料InXGal-xAs/GaAs量子点、量子阱的MBE的生长及其


Autoria(s): 于磊
Contribuinte(s)

孔梅影

Data(s)

1999

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4887

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/60004

Idioma(s)

中文

Fonte

于磊.GaAs基低维材料InXGal-xAs/GaAs量子点、量子阱的MBE的生长及其.[博士后].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体物理与半导体器件物理
Tipo

学位论文