GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究


Autoria(s): 金晓军
Contribuinte(s)

梁骏吾

Data(s)

1995

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4789

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59952

Idioma(s)

中文

Fonte

金晓军.GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

学位论文