4.2度K下注NGaAlAs光荧光研究


Autoria(s): 李玉璋
Contribuinte(s)

庄蔚华

庄婉如徐仲英

Data(s)

1981

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4781

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59948

Idioma(s)

中文

Fonte

李玉璋.4.2度K下注NGaAlAs光荧光研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Tipo

学位论文