垂直导电型MOS功率晶体管新结构探讨及其电流电压特性的研究


Autoria(s): 朱大中
Contribuinte(s)

陈启秀

Data(s)

1981

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4773

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59944

Idioma(s)

中文

Fonte

朱大中.垂直导电型MOS功率晶体管新结构探讨及其电流电压特性的研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体器件
Tipo

学位论文