LEC掺In-GaAs单晶中一种缺陷的研究


Autoria(s): 何晖
Contribuinte(s)

林兰英褚一鸣

Data(s)

1985

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4755

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59935

Idioma(s)

中文

Fonte

何晖.LEC掺In-GaAs单晶中一种缺陷的研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.1985年8月

Palavras-Chave #半导体材料物理
Tipo

学位论文