GaAs-AlxGa1-xAs异型结反向击穿特性


Autoria(s): 陈琼
Contribuinte(s)

王启明

吴荣汉

Data(s)

1985

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4751

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59933

Idioma(s)

中文

Fonte

陈琼.GaAs-AlxGa1-xAs异型结反向击穿特性.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #异质结物理及半导体光电子器件
Tipo

学位论文