Si中注入Ge形成GexSi1-x层的研究
| Contribuinte(s) |
马俊如 |
|---|---|
| Data(s) |
1988
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| Resumo |
Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
马天安.Si中注入Ge形成GexSi1-x层的研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所. |
| Palavras-Chave | #新工艺的研究及有关物理问题 |
| Tipo |
学位论文 |
