MBE生长AlGaAs:Si中DX-中心性质的研究


Autoria(s): 谢茂海
Contribuinte(s)

魏策军

高季林

Data(s)

1988

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4643

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59877

Idioma(s)

中文

Fonte

谢茂海.MBE生长AlGaAs:Si中DX-中心性质的研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体深能级物理
Tipo

学位论文