SiO2上多晶GexSi1-x薄膜的生长与性质研究


Autoria(s): 武芒
Contribuinte(s)

马俊如

Data(s)

1994

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4573

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59842

Idioma(s)

中文

Fonte

武芒.SiO2上多晶GexSi1-x薄膜的生长与性质研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

学位论文