Si1-xGex低维应变量子结构发光性质研究


Autoria(s): 司俊杰
Contribuinte(s)

王启明

杨沁清

Data(s)

1998

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4527

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59819

Idioma(s)

中文

Fonte

司俊杰.Si1-xGex低维应变量子结构发光性质研究.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体物理与半导体器件物理
Tipo

学位论文