MBE生长GaAs的光荧及高掺杂引起的带隙收缩


Autoria(s): 胡天斗
Contribuinte(s)

庄蔚华

Data(s)

1987

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4453

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59782

Idioma(s)

中文

Fonte

胡天斗.MBE生长GaAs的光荧及高掺杂引起的带隙收缩.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

学位论文