调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用


Autoria(s): 黄云吉
Contribuinte(s)

江丕桓

葛惟锟

Data(s)

1987

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4447

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59779

Idioma(s)

中文

Fonte

黄云吉.调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体异质结构物理
Tipo

学位论文