薄场铝栅CMOS技术-器件电参数分析及大生产的工艺控制


Autoria(s): 刘云
Contribuinte(s)

马俊如

孙吉伟

许平

Data(s)

1988

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4427

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59769

Idioma(s)

中文

Fonte

刘云.薄场铝栅CMOS技术-器件电参数分析及大生产的工艺控制.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #MOS集成电路技术
Tipo

学位论文