正面进光InGaAs/InP SAGM APD器件的研究


Autoria(s): 杨志鸿
Contribuinte(s)

王树堂

Data(s)

1986

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

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Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4403

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59757

Idioma(s)

中文

Fonte

杨志鸿.正面进光InGaAs/InP SAGM APD器件的研究.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体物理与器件
Tipo

学位论文