LEC半绝缘GaAs中EL2缺陷的亚稳性和光恢复效应与深能级缺陷的性质


Autoria(s): (保)库意沃
Contribuinte(s)

王占国

Data(s)

1993

Resumo

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4391

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/59751

Idioma(s)

中文

Fonte

(保)库意沃.LEC半绝缘GaAs中EL2缺陷的亚稳性和光恢复效应与深能级缺陷的性质.[博士].北京.中国科学院半导体研究所.

Palavras-Chave #半导体材料物理
Tipo

学位论文