Si-GaAs的电学补偿机理及微区均匀性对电子迁移率的影响
| Contribuinte(s) |
王占国 |
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| Data(s) |
1992
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| Resumo |
Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
戴元筠.Si-GaAs的电学补偿机理及微区均匀性对电子迁移率的影响.[硕士].北京.中国科学院半导体研究所. |
| Palavras-Chave | #半导体材料物理 |
| Tipo |
学位论文 |
