一种提高离子源束流强度的方法


Autoria(s): 刘占稳; 张汶; 张雪珍; 郭晓虹; 周嗣信; 魏宝文; 赵红卫; 袁平; 吴德忠; 王书昌; 王云海; 王义芳; 叶峰
Contribuinte(s)

王玉双

中国科学院近代物理研究所

Data(s)

15/01/2003

Resumo

本发明涉及一种提高离子源束流强度的方法是将离子源的等离子体电极再往等离子体腔体内伸入,使等离子体电极的端面至靠离子源引出端的等离子体腔端面的距离为50-55毫米;另在等离子体腔内壁设有内壁镀金属材料的薄锆筒;该方法可使离子源的高电荷态的离子束流强度增加一倍左右,最佳微波功率也可降低10倍左右,并可改善束流品质、提高加速器的束流传输效率、降低设备成本和运行费用。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/813

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/46240

Idioma(s)

中文

Direitos

1

Fonte

刘占稳、张汶、张雪珍、郭晓虹、周嗣信、魏宝文、赵红卫、袁平、吴德忠、王书昌、王云海、王义芳、叶峰 ,一种提高离子源束流强度的方法,96111562.9,1996-09-16

Tipo

专利