硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺


Autoria(s): 王志光; 金运范; 谢二庆
Contribuinte(s)

王玉双

中国科学院近代物理研究所

Data(s)

20/04/2005

Resumo

本发明涉及一种新型硅基蓝一紫光发光材料及其制备工艺,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理;然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂;再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照;本发明的性能稳定且发光效率较高,可发出蓝一紫光;其制备工艺代替了传统工艺。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/801

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/46234

Idioma(s)

中文

Direitos

1

Fonte

王志光、金运范、谢二庆 ,硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺 ,00135466.3,2000-12-13

Tipo

专利