硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺
Contribuinte(s) |
王玉双 中国科学院近代物理研究所 |
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Data(s) |
20/04/2005
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Resumo |
本发明涉及一种新型硅基蓝一紫光发光材料及其制备工艺,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理;然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂;再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照;本发明的性能稳定且发光效率较高,可发出蓝一紫光;其制备工艺代替了传统工艺。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Direitos |
1 |
Fonte |
王志光、金运范、谢二庆 ,硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺 ,00135466.3,2000-12-13 |
Tipo |
专利 |