核辐射探测器及其制作工艺

本发明主要涉及一种核辐射探测器，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器及其制作工艺。一种核辐射探测器，包括有硅基片，Ｎ型，其主要特点是还包括有探测窗口（１）由相互平行的多个探测窗口（１）组成，有Ｂ↑［＋］掺杂区（３），形成ＰＮ结，其上有Ａｌ层（２），并设有引线（７）；两探测窗口（１）之间设有绝缘分割区（４）；硅基片背面有Ｐ↑［－］掺杂区（５），形成Ｎ↑［＋］欧姆接触，其上复有Ａｌ层（６），形成背电极。本发明的核辐射探测器具有优良的电特性和探测特性。在核物理实验中能同时测量核反应产物的能量和位置（角分布）信息，在得到非常好的位置分辨的同时得到相当好的能量分辨率。由于在工艺流程中严格控制和严格操作，采取特殊Ｃｌ离子处理，减少了ＳｉＯ↓［２］层中的正电荷。并减少了ＳｉＯ↓［２］－Ｓｉ界面附近的表面态，使探测器的反向漏电流比其他工艺例如面垒工艺制备的探测器下降１～２个量级，达到ｎＡ量级。