阶段离子束辅助法制备基频减反膜
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上,采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜,采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应力和激光损伤阈值。结果发现,相对电子枪热蒸发制备的样品,离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、低的激光损伤阈值,且张应力减小,压应力增加;阶段离子束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小,弱吸收稍微增加,激光损伤阈值从10.91 J/cm^2增加到18 J/cm^2。分析表明,离子束辅助沉积在引入提高样品激光损伤 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张大伟;黄元申;贺洪波;邵建达;范正修.阶段离子束辅助法制备基频减反膜,光学精密工程,2007,15(10):1463-1468 |
| Palavras-Chave | #光学薄膜 #离子束辅助沉积 #激光损伤阈值 #减反膜 #弱吸收 #应力 |
| Tipo |
期刊论文 |
